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一、概述
BEST-300C型材料電導(dǎo)率測試儀是運用四探針測量原理測試試導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成:由主機、選配的四探針探頭和測試臺等三部分組成。
主機主要由數(shù)控恒流源,高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成。自動/手動量程可選;電阻率、方阻、電阻測試類別快捷切換:儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入,簡便可靠;具有零位、滿度自校功能;測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電鋰電池供電,適合手持式變動場合操作使用!
探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭,以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻;也有球形鍍金銅合金探針探頭,可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜(ITO膜)或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具,還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量。配探頭,也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
儀器具有測量范圍寬、精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、外形美觀、使用簡便等特點。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測試。
二、技術(shù)參數(shù)
1. 測量范圍、分辨率(括號內(nèi)為拓展量程,可定制)
電 阻:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω
(1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω)
電 阻 率:10.0×10-6 ~ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ~ 0.1×103 Ω-cm
(1.0×10-6 ~ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ~ 0.01×103 Ω-cm)
方塊電阻:50.0×10-6 ~ 1.0×106 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ~ 0.5×103 Ω/□
(5.0×10-6 ~ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ~ 0.1×103 Ω/□)
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定)
直 徑: SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15~130mm,手持方式不限
SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm,手持方式不限.
長(高)度: 測試臺直接測試方式 H≤100mm, 手持方式不限.
4. 數(shù)字電壓表:
⑴量程: 20.00mV
⑵誤差:±0.2%FSB±2LSB
⑶大分辨力:1.0µV
顯示: 4位數(shù)字顯示,小數(shù)點自動顯示
5. 數(shù)控恒流源
⑴電流輸出:直流電流0.1µA~1.0A,系統(tǒng)自動調(diào)整。
⑵誤差:±0.2%FSB±2LSB
6. 四探針測試探頭:
有選配的型號確定,詳見《不同半導(dǎo)體材料電阻率/方阻測試的四探針探頭和測試臺選配方法》
7. 電源:
功 耗:< 15W,輸入:220V±10% 50Hz±2%
8. 本儀器工作條件為:
溫 度: 0-40℃
相對濕度: ≥60%
工作室內(nèi)應(yīng)無強電磁場干擾,不與高頻設(shè)備共用電源。
9. 外形尺寸:
主機 245mm(長)×220 mm(寬)×95mm(高)
*****電阻率與方阻概念******:
電阻率:當某種材料截成正方體時,平行對面間的電阻值只與材料的類別有關(guān),而與正方形邊長無關(guān),這種單位體積的阻值可反映材料的導(dǎo)電特性,稱為電阻率(體電阻率),記為:ρ,標準單位:Ω-m,常用單位Ω-cm.
方塊電阻:薄膜類導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料截成薄層正方形時,平行對邊間的電阻值只與材料的類別(電阻率)和厚度有關(guān),而與正方形邊長無關(guān),這種單位面積的對邊間的阻值可反映薄膜的導(dǎo)電特性和厚度信息,稱為方塊電阻,簡稱方阻。記為:R□,標準單位:Ω/□
四、使用方法
BEST-300C測試儀能夠測量半導(dǎo)體材料體電阻率ρ、方塊電阻(薄片電阻率)R口以及體電阻R,測量時需調(diào)整相應(yīng)的修正系數(shù)和選擇相應(yīng)的功能。
本產(chǎn)品不但提供了電阻率ρ、方塊電阻R口以及體電阻R測試的基本修正系數(shù)設(shè)定,還提供了產(chǎn)品厚度G、外形和測試位置的修正系數(shù)D設(shè)定,極大的提高了測試精度。測試類別的快捷選擇方式,方便了用戶同時測試多個參數(shù),提高測試效率。
4.1 操作概述:
(1)測試準備:
對于電阻器類樣品,用四端子測試線按照圖5-1連接好樣品,對于半導(dǎo)體材料,測試前表面應(yīng)進行必要的處理。如圖5-2,對于硅材料要進行噴砂或清潔處理,對于薄膜類的要保持表面清潔,必要的要進行清潔。樣品放在平整的臺面上。將測試探頭的插頭與主機的輸入插座連接起來,連接好探頭和主機。將電源開關(guān)置于開啟位置,數(shù)字顯示亮。儀器醉好預(yù)熱15分鐘以上,增加讀數(shù)穩(wěn)定性。
(3)測量數(shù)據(jù)
在設(shè)定模式下(設(shè)定完畢,保存好數(shù)據(jù)后),選擇測量類別(電阻率ρ、方塊電阻(薄片電阻率)R口或體電阻R中三選一,切換儀器到“測量”模式,窗口左側(cè)“測量”模式燈亮。電阻測量,注意良好接觸,電壓測試端在內(nèi)側(cè);半導(dǎo)體參數(shù)測試,將探針與樣品良好接觸,注意壓力要適中;由數(shù)字顯示窗直接讀出測量值。
注意!測量狀態(tài)中,電流量程默認為自動方式,也可調(diào)整為手動方式,手動方式下,電流量程適合的,儀器會穩(wěn)定顯示數(shù)據(jù),電流量程不適合的會給出超量程或欠量程閃爍提示,對于超量程,說明電流過大,要調(diào)到較小電流檔;對于欠量程,說明電流過小,要調(diào)到較大電流檔。
4.2.設(shè)定修正系數(shù)注意事項:參照表5.1和附表1和附表2
(1) 電阻測量:
設(shè)定R=1.000。,其他可以忽略。只讀結(jié)果。
(2) 棒狀、塊狀樣品電阻率測量,符合半無窮大的邊界條件:
設(shè)定電阻率基本系數(shù)C,參照表5.1, 厚度修正G=1.000,形狀位置修正D=1.000,只讀結(jié)果。
(3) 薄片電阻率測量:
當薄片厚度與針距比W/S>0.5時, 設(shè)定電阻率基本系數(shù)C,參照表5.1,厚度修正G<1.000,形狀位置修正D<1.000,具體值G(W/S)和D(d/S)要查附表1和附表2,只讀結(jié)果。
當薄片厚度與針距比W/S<0.5時,可以先測方阻,再人工計算厚度和位置形狀修正。
電阻率ρ=R口×W×D(d/S),式中W:樣品厚度(cm), D(d/S)查附表2。
(4) 方塊電阻測量:
設(shè)定電阻率基本系數(shù)□:,參照表5.1,厚度修正G忽略,形狀位置修正D<1.000, D(d/S)要查附表2,只讀結(jié)果。
(3)數(shù)據(jù)輸入規(guī)則說明及示例
(a) 修正系數(shù)
在半導(dǎo)體類電阻率或方阻測試中,如果修正系數(shù)計算值遠小于1,為了顯示讀取更多有效數(shù)字,數(shù)據(jù)輸入可采用準科學(xué)記數(shù)法,即有效數(shù)字取0.100≤X≤1.000,指數(shù)(單位)取值10-3~103。