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絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

發(fā)布時(shí)間:  2024-08-14

產(chǎn)品型號(hào):  GDAT-A

產(chǎn)品報(bào)價(jià):  

廠商性質(zhì):  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號(hào)

產(chǎn)品特點(diǎn):  絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

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產(chǎn)品概述

絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

 

 

絕緣介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀測(cè)介電常數(shù)

調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿,使二極片相接為止,讀取刻度值記為DO。

再松開二極片,把被測(cè)樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿,以免夾得過緊或過松),這時(shí)能讀取新的刻度值,記為D1,這時(shí)樣品厚度D2= D1D0

選鈕8順時(shí)針擰到頭。

開機(jī),按5號(hào)鍵或6號(hào)鍵選擇電感;按照提示,通過選鈕7調(diào)節(jié)通道。

1號(hào)鍵(自動(dòng))搜索頻率,Q達(dá)到zui大,自動(dòng)鎖定頻率。

(如Q比較小,再次按1號(hào)鍵搜索頻率;還可以通過3,4號(hào)鍵手動(dòng)調(diào)節(jié)頻率找到*諧振頻率)

取出平板電容器中的樣品(切記不要調(diào)節(jié)頻率),這時(shí)Q表又失諧,調(diào)節(jié)平板電容器,使再諧振(只調(diào)節(jié)平板電容,不調(diào)節(jié)頻率,Q再次達(dá)到zui大),讀取測(cè)微桿上的讀值D3,其變化值為D4= D3D0。

被測(cè)樣品的介電常數(shù):Σ=D2 / D4

 

 

 

 

主要特點(diǎn):空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低, 

 

 

電感器:

按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

 

 

 

特點(diǎn): 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

 

 


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