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薄膜介電常數(shù)測試儀

發(fā)布時間:  2024-08-15

產(chǎn)品型號:  BQS-37A

產(chǎn)品報價:  

廠商性質(zhì):  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號

產(chǎn)品特點:  薄膜介電常數(shù)測試儀:高壓電橋主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適用測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀適用于科研單學(xué)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

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產(chǎn)品概述

薄膜介電常數(shù)測試儀

一、概述

1介電常數(shù)測試儀遵守的技術(shù)標準:

《JJG563-2004高壓電容電橋檢定規(guī)程》;

《JB1811-92壓縮氣體標準電容器》;

《GB1409-2006固體絕緣材料相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》;

高壓電橋主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成,本電橋特別適用測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀適用于科研單學(xué)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

2、介電常數(shù)測試儀電橋的特點;

◆橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀,外圍接線及少。

◆電橋采用接觸電阻小,機械壽命長的十進開關(guān),保證測量的穩(wěn)定性

◆儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場的干擾。

◆儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理,使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。

◆內(nèi)附高壓電源精度3%

◆內(nèi)附標準電容損耗﹤0.00005,名義值100pF

薄膜介電常數(shù)測試儀

二、技術(shù)指標

1、介電常數(shù)測試儀技術(shù)指標

◆1-1測量范圍及誤差。

本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時。

測量項目 測量范圍 測量誤差。

電容量Cx 40pF—20000pF ±0.5% Cx±2pF。

介損損耗tgδ 0-1 ±1.5% tgδx±0.0001。

在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時。

測量項目 測量范圍 測量誤差。

電容量Cx 4pF—2000pF ±0.5% Cx±3pF。

介損損耗tgδ 0-0.1 ±1.5% tgδx±0.0001。

◆1-2電橋測量靈敏度

電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測量準確度,希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量成正比。在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)。

式中: U 為測量電壓伏特 (V)。

ω為角頻率2πf=314(50Hz)。

Cn標準電容器容量法拉(F)。

Ig通用指零儀的電流5×10-10 安培(A)。

Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500 歐姆(Ω)。

R4橋臂R4阻值3183 歐姆(Ω)。

Cx被測試品電容值法拉(pF)。

◆1-3工作電壓說明

在使用中,本電橋頂A,B對V點的電壓高不超過11V,R3橋臂各盤的電流不超過下列規(guī)定:

10×1kΩ 1max≤15mA。

10×100Ω 1max≤120mA。

10×10Ω l max≤150mA。

用戶在使用前應(yīng)注意以上的問題。如不清楚,可根據(jù)實驗電壓及標準電容量,按以下公式來計算出大概的工作電流。

I=ω V C。

◆1-4輔橋的技術(shù)特性:

不失真跟蹤電壓0~11V(有效值)。

◆1-5指零裝置的技術(shù)特性。

在50Hz時電壓靈敏度不低于1×10-6V/格。

電流靈敏度不低于2×10-9 A/格。

二次諧波 減不小于25dB。

三次諧波 減不小于50dB。

2、介電常數(shù)測試儀電橋測量靈敏度

電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測量準確度,希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標準電容量成正比。在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)

式中: U 為測量電壓 伏特 (V)

ω為角頻率2πf=314(50Hz)

Cn標準電容器容量法拉(F)

Ig通用指零儀的電流5×10-10 安培(A)

Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500 歐姆(Ω)

R4橋臂R4阻值3183 歐姆(Ω)

Cx被測試品電容值法拉(pF)

3、介電常數(shù)測試儀工作電壓說明

在使用中,本電橋頂A,B對V點的電壓高不超過11V,R3橋臂各盤的電流不超過下列規(guī)定:

10×1kΩ 1max≤15mA

10×100Ω 1max≤120mA

10×10Ω l max≤150mA

用戶在使用前應(yīng)注意以上的問題。如不清楚,可根據(jù)實驗電壓及標準電容量,按以下公式來計算出大概的工作電流。

I=ω V C

4、介電常數(shù)測試儀輔橋的技術(shù)特性:

不失真跟蹤電壓0~11V(有效值)

5、介電常數(shù)測試儀指零裝置的技術(shù)特性:

在50Hz時電壓靈敏度不低于1×10-6V/格

電流靈敏度不低于2×10-9 A/格

二次諧波 減不小于25dB

三次諧波 減不小于50dB

▲內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及100PF標準電容器,并可按用戶要求擴裝外接標準電容線路。

三、介電常數(shù)測試儀電橋工作原理

※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※

BQS-37a型高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時,與R4橋臂并聯(lián),測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡,消除寄生參數(shù)對電橋平衡的影響。輔橋由電位自動電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽(S)組成。自動跟蹤器由電子元器件組成。它在橋頂B處取一輸入電壓,通過放大后,在內(nèi)屏蔽(S)產(chǎn)生一個與B電位相等的電壓。當(dāng)電橋在平衡時,A,B,S三點電位必然相等,從而達到自動跟蹤的目的。

本電橋在平衡過程中,輔橋采用自動電位跟蹤,在主橋平衡過程的同時,輔橋也自動跟蹤始終處于平衡的狀態(tài),用戶只要對主橋平衡進行操作就能得到可靠的所需數(shù)據(jù)。同時也有效的抑制了電壓波動對平衡所帶來的影響。在指零部分,采用了指針式電表指示,視覺直觀,分辨清楚,克服了以往振動式檢流計的缺點。

1、介電常數(shù)測試儀橋體的組成

電橋各臂的組成

第1臂:由被測對象Cx組成Z1。

第2臂:由高壓標準電容器Cn組成Z2。

第三3臂:由十進電阻器10×(1000+100+10+1+0.1)歐姆和滑線電阻(0-0.13)歐姆組成Z3。

第4臂:由十進電容臂10×(0.1+0.01+0.001+0.0001)uf和可變電容器100pF組成C4再與電組R4并聯(lián)組成Z4。

2、介電常數(shù)測試儀計算公式

Cx=R4× Cn / R3 R4[Ω] R3[Ω] Cn[pF] Cx[pF]

tgδ=ω·R4·C4 R4[Ω] C4[F]

當(dāng)R4=10K/π

tgδ=C4

當(dāng)R4=1K/π

tgδ=0.1C4

我們采取相對固定R4電阻,分別調(diào)節(jié)R3和C4使橋跟平衡,從而測得試品的電容值Cx和介質(zhì)損耗tg。本電橋為了直讀出損耗值,取電阻R4的阻值為角頻率(f=50Hz)若干倍。

3介電常數(shù)測試儀公式說明

.頻率對介質(zhì)損耗正公式:

本電橋額定的工作頻率f=50Hz,在實際工作頻率偏離額定頻率時可用修正式進行修正:

tg=f·tgδ / f:

式中:f 為額定工作頻率(f=50Hz):

f’ 為實際工作頻率:

tgδ 電橋測得損耗值:

tgδ 為被測試品介質(zhì)損耗角正切的實際值:

四、介電常數(shù)測試儀安全操作規(guī)程

  1. 本儀器必須有專人負責(zé)保管,使用,非專職操作者應(yīng)在使用前了解和熟悉本說明書,以免造成不必要的損失和事故。
  2. 每次使用前應(yīng)仔細檢查接地線是否完好,確保以后方可通電使用。
  3. 接通電源前應(yīng)將靈敏度開關(guān)調(diào)到低位置。
  4. 測量試品前應(yīng)先對試品進行高壓試驗,證明在電橋工作電壓下無噪聲,電離等現(xiàn)象出現(xiàn),然后才能進行測試(若試品己做過高壓試驗,該項可不必每次測量都做)。
  5. 對試品施加高壓時緩慢升高,不可以加突變電壓。
  6. 測試時操作人員必須集中思想,工作前做好一切準備工作,測試地點周圍應(yīng)有明顯的標記或金屬屏蔽圍成高壓危險區(qū),以防止非操作人員闖入。
  7. 在測量過程中,如有放電管發(fā)光時,則必須及時切斷電源,仔細檢查接線及試品都無擊穿,待檢查排除故障后,再進行高壓測量工作。

五.介電常數(shù)測試儀操作方法

1、 測試前的準備工作

◆①按圖(3)所示,連接標準電容Cn(選用外接標準電容時),與被測電容Cx,并且將標準電容與被測電容盡可能遠離,以防止互相之間干擾。如選用內(nèi)部標準電容器,只需連接被測試品即可。

◆②檢查周圍是否有強電磁場干擾,應(yīng)盡量避免。

◆③檢查大地線是否牢靠,以保證操作人員的安全,應(yīng)檢查電橋上的(⊥)與大地是否接觸良好。

◆④檢查電橋的靈敏度開關(guān)是否已回另位。

◆⑤檢查試品的絕緣強度,應(yīng)符合大于2U+1的標準。

◆⑥對試品施加試驗電壓(按部標或所規(guī)定的專業(yè)標準進行)。

2、 試品的測試

◆①在不知道被測試品的大概容量及損耗時,可先施加少許的電壓,找到粗平衡點后,再把工作電壓升到所需的值,然后再尋找細平衡點。

◆②在測量時,靈敏度開關(guān)是按從小到大的規(guī)律來調(diào)節(jié)的。

◆③在測量時,R3開關(guān)時按從左至右的規(guī)律來調(diào)節(jié)的。

◆④在測量時,C4開關(guān)時按從右至左的規(guī)律來調(diào)節(jié)的。

◆⑤整個測量步絮:首先檢查接線無誤后,方可通電試驗。第二升起試驗電壓,并調(diào)節(jié)靈敏度開關(guān),使UA表頭有明顯的指示。此時表明電橋沒有平衡。第三調(diào)節(jié)R3開關(guān),順序從左至右。這時通過觀察表頭來觀察電橋的平衡狀況。如表頭已回另,可再加大靈敏度。應(yīng)總保持能明顯地觀察到調(diào)節(jié)R3時,電橋的平衡狀況。第四在某一點上用戶會發(fā)現(xiàn),調(diào)節(jié)R3已無法使表頭再回到另位。這時可調(diào)節(jié)C4開關(guān),順序時從右至左,把表頭指針調(diào)節(jié)到小位。第五用戶在調(diào)節(jié)C4到某一點時又會發(fā)現(xiàn)無法將指針調(diào)回另位。這時又要去調(diào)節(jié)R3開關(guān),調(diào)節(jié)的位數(shù)是上一次調(diào)節(jié)R3的后位,然后又會出現(xiàn)第四點時的問題,又必須要調(diào)節(jié)C4開關(guān)...就這樣來回往復(fù)地調(diào)節(jié)R3和C4兩組開關(guān),直至靈敏度開關(guān)大時,并指針回另(或指另儀指示到?。1砻麟姌蛞堰_到平衡。

◆ ⑥測量完畢后或在暫停測量時,應(yīng)將另儀的靈敏度開關(guān)降至“0”,再將測量電壓降至另并切斷電源開關(guān),根據(jù)計算公式,算出被測試品的容量及介損值。

六、介電常數(shù)測試儀裝置成套性

◆1.BQS-37a型高壓電橋一臺

◆2. 試驗電極 一臺

◆3.使用說明書 一份

◆4.電源線 二根

◆5.測試線 三根

七、介電常數(shù)測試儀相關(guān)介紹

介電常數(shù)又稱電容率或相對電容率,是表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個重要數(shù)據(jù),常用ε表示。介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場,原外加電場與終介質(zhì)中電場比值即為介電常數(shù)。其表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力,例如一個電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后可使其電容變大ε倍。

介電常數(shù)愈小絕緣性愈好。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中,場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)還用來表示介質(zhì)的極化程度,宏觀的介電常數(shù)的大小,反應(yīng)了微觀的極化現(xiàn)象的強弱。氣體電介質(zhì)的極化現(xiàn)象比較弱,各種氣體的相對介電常數(shù)都接近1,液體、固體的介電常數(shù)則各不相同,而且介電常數(shù)還與溫度、電源頻率有關(guān)。一些物質(zhì)介電常數(shù)具有復(fù)數(shù)形式,其實部即為介電常數(shù),虛數(shù)部分常稱為耗散因數(shù)。

通常將耗散因數(shù)與介電常數(shù)之比稱作耗散角正切,其可表示材料與微波的耦合能力,耗散角正切值越大,材料與微波的耦合能力就越強。

 


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